stiusg

• USG 作為STI 應用. • USG 和FSG 作為IMD 應用. USG 和FSG 作為IMD 應用. • PMD 作為PMD 應用. 65. Page 66. 介電質薄膜的特性. • 折射率. • 厚度. • 均勻性. • 應力. • ...

• 在STI形成過程中氧氣被使用在USG退火上. • 低等級的氮氣使用在閒置時的吹除淨化 ... USG CMP; USG Anneal; Nitride and Pad Oxide Strip. 40. Page 41. 應用:襯墊 ...

STI: STI光罩. 8. STI: 氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻，光阻剝除. P型磊晶層. P型晶圓. N型 ... USG 沈積/蝕刻/沈積/CMP. IMD 1. 24. 銅導線. P-Epi. P-Wafer. N-Well. P-Well n+.

STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ILD:金屬層間介電質層. Page 2. 3. LPCVD 系統 ... CMP USG, W. CMP USG, W. CMP USG. W. CMP USG. CMOS IC. 16. 導電薄膜. • Poly-Si ...

(1) 長犧牲氧化層(SAC oxide)：因pad ox在STI程序中有相當程度受損，故用 ... (2) 沉積USG，進行Via-1微影與蝕刻後移除光阻。 (3) 以PVD方式沉積 ...

淺溝槽隔離STI可藉由使用微影技術蝕刻基板000形成凹部而形成。一般而言，微影 ... USG)、氟矽玻璃(fluorinated silicate glass，FSG)、高密度電漿(high-density ...

A method for shallow trench isolation formation having a thick un-biased HDP USG liner layer to reduce HDP-CVD induced defects is described.

該系統採用單晶圓、多反應室架構，可提供高達80wph的原矽酸四乙酯(TEOS) 和碳化矽產量(3,000Å PE TEOS和電漿矽烷) 和高達35wph的USG產量(2000Å SACVD USG)。對稱的設計 ...

... sti跟usg這兩個名詞usg(undoped silicate glass)用來作為相鄰電晶體的電性隔絕感覺usg填充只是sti的一個步驟但是看了CMOS剖面圖卻同時有出現usg跟sti.